电感耦合等离子体刻蚀机。可刻蚀材料种类：Si、GaAs、SiC、InP、SiNX 、SiO2、GaN。
用于器件制备中的光刻过程，是进行器件所需微纳结构制备的关键设备。
用于微纳器件表面进行金属、介质薄膜蒸镀，是进行微纳器件制备的关键设备
可用来制备金属、半导体、超导材料、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物
可以沉积Ag、Al等金属薄膜以及半导体薄膜、介质复合膜等。
大面积光刻胶微结构图案的制备,基于厚胶工艺器件的构筑
主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料，形成微纳米结构。
用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀各种硬质膜、金属膜。主要用于制备纳米器件、有机光电器件的金属电极，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。
主要沉积各种高熔点金属
热蒸发沉积多种低熔点金属。
亚微米紫外光刻掩模对准系统采用波长为365 nm的紫外光源，制作亚微米的图形，最小线宽0.5微米，晶片尺寸为2-6英寸。
适用于金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的物理溅射刻蚀。主要应用：制造HgGdTe、PbS或InSn等红外器件；声表面波器件；磁
