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厂商及型号
ABM6/350/NUV/DCCD
性能参数
6英寸及以下基片的光刻工艺,硬接触曝光分辨率0.5微米,接近式曝光分辨率1微米,正面套刻对准精度为1微米
服务功能
大面积光刻胶微结构图案的制备,基于厚胶工艺器件的构筑
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