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亚微米紫外光刻掩模对准系统(纳米区域中心)
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亚微米紫外光刻掩模对准系统(纳米区域中心)
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厂商及型号
德国Suss MicroTec Gmbh N5230A
性能参数
亚微米紫外光刻掩模对准系统采用波长为365 nm的紫外光源，制作亚微米的图形，最小线宽0.5微米，晶片尺寸为2-5英寸。
服务功能
亚微米紫外光刻掩模对准系统采用波长为365 nm的紫外光源，制作亚微米的图形，最小线宽0.5微米，晶片尺寸为2-6英寸。
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