集成了CH4, CHF3, C4F8, SF6, HBr, Cl2, SiCl4, BCl3, O2, H2, Ar等12路反应气体，能进行深硅、纳米结构和II
InP、GaAs、GaN等三五族材料的刻蚀; SiO2，SiNx刻蚀; 各种金属刻蚀.
主要用于紫外接近、接触式光刻制造小规模集成电路、半导体器件、红外器件、微机电系统（MEMS）等
介质刻蚀，光刻胶去胶
可用于各种金属薄膜（如Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、ITO等）的淀积
干法刻蚀
衬底尺寸：4英寸及以下；工艺气体：CF4, CHF3, Ar, BCl, Cl2, C2H2, SiCl4 可以做GaN，SiC，GaAs，Si等材料刻蚀工艺
可刻蚀材料种类：Si、GaAs、SiC、InP、SiNX 、SiO2、GaN。
硅基深刻蚀
4英寸
步进式光刻
将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
