用于亚微米尺度的图形化工艺及掩模版制备工艺，可在各种衬底上进行激光直接光刻工艺
用于硅刻蚀，氮化物刻蚀，氧化锌刻蚀，III-V族化合物半导体刻蚀
可沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅、非晶硅等材料能够实现对沉积厚度的精确控制
用于制备半导体器件的金属薄膜以及非金属介电质
植物样品的精细粉碎
将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上
金属电极制备
可用于制备单层或多层厚度可控的ZnO和ITO薄膜
金属、介质多层膜的溅射
