SiO2干法刻蚀（4"）
多晶硅、Si3N4干法刻蚀（4"）
单/双面光刻
离子注入掺杂
SiO2，Si3N4成膜
硅片的图形光刻（4"），机器的分辨率：2mm；曝光均匀性：<±3%；对准精度：<±0.1mm；线宽均匀性：<2mm±0.2mm
图形光刻（4"）
光刻，曝光
光刻后打残胶
材料生长
