光刻版图形转移
硅刻蚀
半导体介质薄膜刻蚀
精密光学膜蒸镀
刻蚀化合物半导体材料
三五族化合物半导体材料的外延生长
用于金属和氧化物薄膜的制备
可制备最大为100X500 mm的Ni/Ti多层膜，用于中子光学器件的研制
制备磁隧道结等多层膜样品
刻蚀氧化硅等材料
用于SEM样品表面导电层蒸镀
1、溅射薄膜均匀度：5%；2、Deposition Chamber压强：4.4×10-6Pa；3、Preparation chamber压强：6.7×10-4P
