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反应离子刻蚀系统 NGP80

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厂商及型号

Oxford NGP80

性能参数

RF功率：300 W 13.56MHz 晶片尺寸：最大 6 英寸 反应气体： O2、Ar、CF4、CHF3、SF6 刻蚀材料：氧化硅、氮化硅 刻蚀选择比：3:1 不均匀性：<±5%

服务功能

主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料，形成微纳米结构。
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