磁控溅射系统

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厂商及型号

Qprep400-base

性能参数

主腔室可以实现优于5 × 10-9Torr的极限真空度; 配备3台3英寸的溅射靶枪,分别与射频电源和直流电源连接;射频电源和直流电源的最大功率分别为600W和750W,样品最大直径为4英寸,可以为圆形或不规则形状的基片;样品台可以加热,并能够旋转,以提供薄膜沉积的均匀性,4英寸基片上薄膜均匀性优于+/-5%。

服务功能

可以沉积Ag、Al等金属薄膜以及半导体薄膜、介质复合膜等。