材料生长
用于对8英寸晶圆进行激光刻号标识，作业方式为单片作业。
离子束溅射HfO2，Hf，ZrO2，TiO2材料薄膜制备。
可以提供4英寸以下及不规则衬底金属溅射。
光刻，接触式曝光。
电感耦合等离子体刻蚀机。可刻蚀材料种类：Si、GaAs、SiC、InP、SiNX 、SiO2、GaN。
用于器件制备中的光刻过程，是进行器件所需微纳结构制备的关键设备。
用于微纳器件表面进行金属、介质薄膜蒸镀，是进行微纳器件制备的关键设备
可用来制备金属、半导体、超导材料、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物
可以沉积Ag、Al等金属薄膜以及半导体薄膜、介质复合膜等。
大面积光刻胶微结构图案的制备,基于厚胶工艺器件的构筑
