主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料，形成微纳米结构。
用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀各种硬质膜、金属膜。主要用于制备纳米器件、有机光电器件的金属电极，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。
主要沉积各种高熔点金属
热蒸发沉积多种低熔点金属。
亚微米紫外光刻掩模对准系统采用波长为365 nm的紫外光源，制作亚微米的图形，最小线宽0.5微米，晶片尺寸为2-6英寸。
适用于金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的物理溅射刻蚀。主要应用：制造HgGdTe、PbS或InSn等红外器件；声表面波器件；磁
集成了CH4, CHF3, C4F8, SF6, HBr, Cl2, SiCl4, BCl3, O2, H2, Ar等12路反应气体，能进行深硅、纳米结构和II
InP、GaAs、GaN等三五族材料的刻蚀; SiO2，SiNx刻蚀; 各种金属刻蚀.
主要用于紫外接近、接触式光刻制造小规模集成电路、半导体器件、红外器件、微机电系统（MEMS）等
介质刻蚀，光刻胶去胶
可用于各种金属薄膜（如Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、ITO等）的淀积
干法刻蚀
