用于金属和氧化物薄膜的制备
可制备最大为100X500 mm的Ni/Ti多层膜,用于中子光学器件的研制
制备磁隧道结等多层膜样品
刻蚀氧化硅等材料
用于SEM样品表面导电层蒸镀
1、溅射薄膜均匀度:5%;2、Deposition Chamber压强:4.4×10-6Pa;3、Preparation chamber压强:6.7×10-4P
坚硬样品快速粉碎
工艺加工