衬底尺寸：4英寸及以下；工艺气体：CF4, CHF3, Ar, BCl, Cl2, C2H2, SiCl4 可以做GaN，SiC，GaAs，Si等材料刻蚀工艺
可刻蚀材料种类：Si、GaAs、SiC、InP、SiNX 、SiO2、GaN。
硅基深刻蚀
4英寸
步进式光刻
将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
电子束蒸发仪可蒸发高纯与难熔材料，包括高熔点金属与非金属材料；四个可旋转坩埚，可制备多层薄膜；主要用于制备各种光学薄膜、介质薄膜与电极薄膜材料等。
镀膜
样品镀膜
电子束蒸发仪可蒸发高纯与难熔材料，包括高熔点金属与非金属材料；四个可旋转坩埚，可制备多层薄膜；主要用于制备各种光学薄膜、介质薄膜与电极薄膜材料等。主要用于制备纳
MJB4型号对准接触式紫外光刻机适用于所有标准化的光刻应用。该设备稳定性、重复性高，可加工微细尺寸图形。单面曝光
该设备采用计算机程序控制，工艺过程可以通过程序设定，自动完成复杂工艺，可以刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料。
