反应离子刻蚀系统(纳米区域中心)

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厂商及型号

Oxford 国 Plasmalab 80 plus

性能参数

205mm或240mm直径的温度可以调节的下电极,每批最大处理能力为9x2”、4x3”、2x4”、1x6”、1x8”;13.56MHz,30/300W的射频电源以及紧耦合、低损耗的自动匹配网络(Close-coupled Automatic Matching Network),更加保证了工艺的重复性; 控制工艺气体流量及配比的外部Gas Pod,最多可配置6路气体管路.

服务功能

InP、GaAs、GaN等三五族材料的刻蚀; SiO2,SiNx刻蚀; 各种金属刻蚀.