感应耦合等离子体刻蚀系统(纳米区域中心)

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厂商及型号

英国Oxford Instruments Plasma Technology Plasmalab System 100 ICP180

性能参数

集成了CH4, CHF3, C4F8, SF6, HBr, Cl2, SiCl4, BCl3, O2, H2, Ar等11路反应气体,能进行深硅、纳米结构和III-V族半导体材料的微纳刻蚀加工。

服务功能

集成了CH4, CHF3, C4F8, SF6, HBr, Cl2, SiCl4, BCl3, O2, H2, Ar等12路反应气体,能进行深硅、纳米结构和III-V族半导体材料的微纳刻蚀加工。