反应离子刻蚀去胶机 Neo2130[四室]

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厂商及型号

Neo2130

性能参数

衬底尺寸:4英寸及以下; 工艺气体:CF4, CHF3, Ar, BCl, Cl2, C2H2, SiCl4 可以做GaN,SiC,GaAs,Si等材料刻蚀工艺。如精细线条刻蚀、浅槽和背孔刻蚀等。 刻蚀均匀性:±3%

服务功能

介质刻蚀,光刻胶去胶