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厂商及型号
Neo2130
性能参数
衬底尺寸：4英寸及以下； 工艺气体：CF4, CHF3, Ar, BCl, Cl2, C2H2, SiCl4 可以做GaN，SiC，GaAs，Si等材料刻蚀工艺。如精细线条刻蚀、浅槽和背孔刻蚀等。 刻蚀均匀性：±3%
服务功能
介质刻蚀，光刻胶去胶
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