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厂商及型号
Sentech SI 500
性能参数
ICP等离子体源（13.56MHz，1200W） RF偏置（13.56MHz，600W） 8路气体：Cl2,BCl3,CF4,CHF3,SF6,O2,Ar,N2) 基底温度范围-30到250℃
服务功能
用于硅刻蚀，氮化物刻蚀，氧化锌刻蚀，III-V族化合物半导体刻蚀
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