电感耦合等离子体刻蚀机

浏览次数

57

收藏次数

0

接洽次数

0

厂商及型号

Sentech SI 500

性能参数

ICP等离子体源(13.56MHz,1200W) RF偏置(13.56MHz,600W) 8路气体:Cl2,BCl3,CF4,CHF3,SF6,O2,Ar,N2) 基底温度范围-30到250℃

服务功能

用于硅刻蚀,氮化物刻蚀,氧化锌刻蚀,III-V族化合物半导体刻蚀