等离子体增强化学气相沉积镀膜机

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厂商及型号

Sentech SI 500D

性能参数

ICP等离子源(13.56MHz,1200W) 8路气体:N2O,SiH4,NH3,CF4,O2,Ar,N2 基底温度可到350℃

服务功能

可沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅、非晶硅等材料能够实现对沉积厚度的精确控制