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光刻机

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厂商及型号

ABM公司 //ABM

性能参数

1.365 nm(波长) 输出光强---约18-20 mW/cm2; 2.400 nm(波长) 输出光强---约35-40 mW/cm2;3.曝光有效范围:4英寸直径; 4.曝光精度：硬接触模式<1微米,软接触<1.5微米; 接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米

服务功能

将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上
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