厂商及型号
ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M
性能参数
接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um
支持接近式曝光，特征尺寸CD:
--0.8um 硬接触
--1um 20 um 间距时
--2um 50um 间距时
正面对准精度±0.5um
支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
支持真空、接近式、接触式曝光
支持恒定光强或恒定功率模式
服务功能
将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
