ABM光刻机

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厂商及型号

ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M

性能参数

接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um 接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um 支持接近式曝光,特征尺寸CD: --0.8um 硬接触 --1um 20 um 间距时 --2um 50um 间距时 正面对准精度±0.5um 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻 支持真空、接近式、接触式曝光 支持恒定光强或恒定功率模式

服务功能

将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留的是特征图形部分。