高性能数值模拟和精细实验相结合，在细致了解蒸气粒子运动轨迹的基础上，设计和优化薄膜沉积工艺。循此思路，我们首先精心研制了多源电子束物理气相沉积系统（IMCAS-
根据需求匹配
用于定义CMOS工艺90nm以下的图形
蒸发Au，Pt，Al，Ti，Ni等介质；
沉积各种高熔点金属及氧化物
采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为8nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直
金属种类：Au、Pt、Ti、Ni、Ge、Al、V等
2/4英寸硅片，蒸发金属
百纳米电子束曝光
各种光学光刻模板的制备; 各种碎片、50 mm及100 mm基片微纳米图案的直写，最小线宽<10nm
低能慢正电子束流系统，主要用于薄膜材料中空位型缺陷的表征，包括空位类型、空位浓度、缺陷尺寸等参数的分析。
用于微纳器件的图形化工艺以及掩模版的制作
