材料生长
外延生长氮化物材料及器件
用于SiO2，SiNx，SiC和a-Si等薄膜的沉积，具有沉积温度低、薄膜致密性好、应力低和折射率可控等优点，广泛应用于半导体及光电器件领域。
多晶硅刻蚀
可制备高质量、低应力的氧化硅、氮化硅及非晶硅薄膜。
绘制工程图纸
本系统包括频率可调至甚高频（VHF）的等离子体辅助沉积，用于沉积硅异质结太阳电池表面的SiON:H或SiO:H减反射涂层和p型微晶硅发射极；以及热丝CVD沉积系
用于沉积氧化硅等
用于生长硅基薄膜，包括本征硅薄膜，N型、P型掺杂硅薄膜及氮化硅薄膜
薄膜生长
