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厂商及型号
790PECVD
性能参数
1.300℃低温即可淀积高质量薄膜，均匀性和重复性好; 2.氧化硅膜厚度任意可控：从几十纳米到几十微米都可淀积，膜厚控制精确; 3.单炉生长37片2”片，极大节约成本。
服务功能
用于沉积氧化硅等
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