等离子增强气相沉积

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厂商及型号

790PECVD

性能参数

1.300℃低温即可淀积高质量薄膜,均匀性和重复性好; 2.氧化硅膜厚度任意可控:从几十纳米到几十微米都可淀积,膜厚控制精确; 3.单炉生长37片2”片,极大节约成本。

服务功能

用于沉积氧化硅等