高密度等离子体增强化学气相沉积设备(ICP-CVD)

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厂商及型号

德国sentech公司SI500D

性能参数

载片:直径小于100mm(4吋)的各种基片;气体:Ar、O2、N2、CF4、NH3、SiH4;基片温度范围:室温至300 ℃;ICP源功率:0-1000W

服务功能

可制备高质量、低应力的氧化硅、氮化硅及非晶硅薄膜。