等离子体辅助热丝化学气相沉积系统

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厂商及型号

沈阳聚智真空设备有限公司 //JZPERS450III

性能参数

1) 腔室本底真空: 10-6 Pa。 2) 等离子体沉积衬底加热温度最高500oC,热丝温度最高可到2100oC。 3)热丝系统带双层夹壁水冷

服务功能

本系统包括频率可调至甚高频(VHF)的等离子体辅助沉积,用于沉积硅异质结太阳电池表面的SiON:H或SiO:H减反射涂层和p型微晶硅发射极;以及热丝CVD沉积系统,用于无损伤沉积硅异质结界面上的非晶硅钝化层。