纳米尺度集成电路研制及纳米加工技术服务（主要用于联合开展的科研课题研究工作）
SiO2干法刻蚀（4"）
多晶硅、Si3N4干法刻蚀（4"）
单/双面光刻
离子注入掺杂（As、B、P等）
SiO2，Si3N4成膜
图形光刻（4"）
光刻，曝光
光刻后打残胶
光刻
蒸度膜
