磁控溅射仪

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厂商及型号

ACS-4000-C4

性能参数

四靶磁控溅射设备,采用射频电源,可实现金属薄膜或非金属薄膜的生长,可以进行多靶溅射成膜及反应溅射成膜

服务功能

1、溅射薄膜均匀度:5%;2、Deposition Chamber压强:4.4×10-6Pa;3、Preparation chamber压强:6.7×10-4Pa;4、基片旋转:3-100rpm;5、基片加热温度:Maximum 500℃;6、四靶可以同时溅射;7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射;8、基片最大尺寸为4"