厂商及型号
ACS-4000-C4
性能参数
四靶磁控溅射设备，采用射频电源，可实现金属薄膜或非金属薄膜的生长，可以进行多靶溅射成膜及反应溅射成膜
服务功能
1、溅射薄膜均匀度：5%；2、Deposition Chamber压强：4.4×10-6Pa；3、Preparation chamber压强：6.7×10-4Pa；4、基片旋转：3-100rpm；5、基片加热温度：Maximum 500℃；6、四靶可以同时溅射；7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射；8、基片最大尺寸为4"
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服务功能
