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V80H
性能参数
待机状态下：生长室真空1.0E-8 Torr 中室真空 5E-9 Torr 预处理室真空：2E-6 Pa ，生长的2DEG材料电子迁移率 室温 4500~5000cm(2)V(-1)S(-1)
服务功能
三五族化合物半导体材料的外延生长
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