反应等离子体刻蚀机(RIE-200)

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厂商及型号

德国 SENTECH公司Etchlab 200

性能参数

1、配置5路工艺气体:CF4、CHF3、Ar、O2、SF6;2、可是选择比大于3:1; 3、刻蚀不均匀小于3%;4、本体真空<10-5mbar;5、射频电源功率600W;6、可加工最大晶圆尺寸为8英寸.6、SiO2刻蚀速率:175nm/min;Si3N4刻蚀速率:124nm/min;

服务功能

该设备采用计算机程序控制,工艺过程可以通过程序设定,自动完成复杂工艺,可以刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料。