1、测量半导体功率器件及相关半导体芯片的电压、电流、电感等参数；2、配有屏蔽系统；3、配有Keithley4200半导体参数仪等配套设备。
1. 可完成N沟道/P沟道MOSFET器件和PNP/NPN双极晶体管, IGBT等器件的阻性负载开关时间参数的测试。可测试Td（on），Tr，Td（off），T
片状器件，如陶瓷电容器、射频电感、电阻器等的射频阻抗参数测量； 变容二极管的电容-电压特性曲线和等效串联电阻测量； 塑料、陶瓷、印刷线路板和其他电介质材料的介电
精密DC电流电压（I-V）测量，提供全面半导体特性分析基础；AC阻抗（C-V）测量；脉冲式信号和瞬态信号测试，提供动态特点分析。
测电压电流
脉冲电流检测
在高电压、大电流的功率器件研究中需要准确测量高电压、大电流时芯片的特性与器件的参数。Agilent B1505A半导体综合特性分析仪可用于在整个工作范围精确测量
可进行交直流电阻、微分电阻、霍尔效应和伏安特性等测量。使用专用样品托，每次可同时测量2个样品。
该设备主要用于半导体领域研究和测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs,
该设备功能是提供纳米新器件的基本电学特性（如：I-V、C-V等）以及器件可靠性（如：BTI、TDDB、HCI等）的测试与分析，并支持手动和自动两种测试模式。其最
模拟信号测量，逻辑信号分析
各种磁铁的磁场性能测量及测量设备研制
