霍尔效应测试仪

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厂商及型号

美国MMR公司 //K2500

性能参数

磁场强度: 0.5T电磁体 ● 磁场均匀性:磁场不均匀性< ±1 % ● 样品测试仓:全封闭、带玻璃窗口 ● 温度: 温度范围 (80 ~ 730 K);      温控精度0.1K;      温控稳定性± 0.1K。 ● 电阻率范围:10-6~1013 Ohm*cm ● 电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms ● 载流子浓度:102~ 1022 cm-3 ● 迁移率:10-2~ 109 cm2/volt*sec

服务功能

该设备主要用于半导体领域研究和测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。