硅片氧化
1、基片最大尺寸：直径6英寸；2、热压室真空度：≤1nbar；3、热压时基片\模具加热温度：最大320℃；4、最大压力：20KN；5、热压室高度：20mm；6、
纳米器件制备
富勒烯制备
材料生长
程序控温、N2和H2气氛
采用气体软压技术，压印均一性与一致性良好。可分别独立采用热压、紫外聚合，也可以将热压紫外聚合联合使用。主要使用领域：光子晶体、亚波长光学器件、OLED、生物微沟
纳米压印系统可进行热压印和紫外压印，实现图形的廉价、快速复制。
可以对金属、陶瓷等材料进行热压
该设备可用于诸如太阳能电池等器件的烧结工艺、退火工艺等工艺技术的研究
提高纳米材料、陶瓷材料等的致密性。
