可测粘弹性材料在不同频率、不同温度、不同载荷下动态的力学性能,包括模量、Tg以及热变形温度等
光刻胶、SiO2、Si3N4、多晶硅等膜厚
测量永磁材料的Br、Hc、最大磁能积及这些参数的温度特性
测量材料的磁矩、磁化率、Ms、Hc、Br等
本仪器主要用于在金属、半导体、氧化物衬底上生长磁性量子点量子线和超薄膜。研究对象主要为铁磁性金属、合金以及稀磁半导体。用变温扫描隧道显微镜/原子力显微镜(VT-
DC磁矩测量
光刻胶、SiO2、Si3N4、多晶硅等膜厚测量
测试物质(样品)随温度、磁场变化时,物质性质的改变。可以在磁场: -7T -- 7T, 温度: 2K--300K的范围内进行 AC 磁化率测量、DC 磁化强度测
对粉末、块材等样品在高磁场下进行热处理退火
测量大尺寸显示屏幕设备的亮度、色度,小面积光源的亮度、色度
器件测试与分析