厂商及型号
统 MBE/SPM
性能参数
仪器真空优于3×10-10mbar，基片温度在140K～880K可变，变温扫描隧道显微镜/原子力显微镜（STM/AFM）可以工作在15K~1200K之间，并且达到原子分辨
服务功能
本仪器主要用于在金属、半导体、氧化物衬底上生长磁性量子点量子线和超薄膜。研究对象主要为铁磁性金属、合金以及稀磁半导体。用变温扫描隧道显微镜/原子力显微镜（VT-STM/AFM、MFM）、反射高能电子衍射（RHEED）、低能电子衍射（LEED）研究低维材料的表面形貌和表面再构，研究样品的能带结构和态密度；用表面磁光克尔效应（SMOKE）、原位穆斯堡尔谱（MS）等表征低维样品的宏观磁性以及微观磁性
