磁性高真空穆斯堡尔联合系

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厂商及型号

统 MBE/SPM

性能参数

仪器真空优于3×10-10mbar,基片温度在140K~880K可变,变温扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)可以工作在15K~1200K之间,并且达到原子分辨

服务功能

本仪器主要用于在金属、半导体、氧化物衬底上生长磁性量子点量子线和超薄膜。研究对象主要为铁磁性金属、合金以及稀磁半导体。用变温扫描隧道显微镜/原子力显微镜(VT-STM/AFM、MFM)、反射高能电子衍射(RHEED)、低能电子衍射(LEED)研究低维材料的表面形貌和表面再构,研究样品的能带结构和态密度;用表面磁光克尔效应(SMOKE)、原位穆斯堡尔谱(MS)等表征低维样品的宏观磁性以及微观磁性