学术方向：1）宽禁带半导体前沿探索； 2）功率模块封装新技术； 3）高功率密度变频器

简历：

2004年毕业于清华大学电机系获工学学士，2006年毕业于清华大学电机系获工学硕士学位，2010年获美国弗吉尼亚理工大学电气与计算机工程系工学博士学位。2010－2013年工作于美国橡树岭国家实验室，任副研究员。2013年加入中国科学院电工研究所，任研究员。

主要从事高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究、高效冷却等方面的工作，发表EI检索论文近百篇，包括17篇SCI检索论文，并申请专利9项。分别以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担科技部重点研发计划、863计划、中国科学院重点研究等项目10项。

代表论著：

[1]P. Ning, F. Wang, and K. D. T. Ngo, 'Forced-Air Cooling System Design Under Weight Constraint for High-Temperature SiC Converter,' IEEE Trans. on Power Electronics, Vol.29,issue 4, pp.1998-2007, April,2014

[2]P. Ning, Di Zhang, Rixin Lai, Dong Jiang, Fred Wang, Dushan Boroyevich, Rolando Burgos, Kamiar Karimi, Vikram Immanue, and Eugene Solodovnik, ' Development of a 10 kW High Temperature, High Power Density Three-Phase AC-DC-AC SiC Converter,' IEEE Industrial Electronics Magazine, Vol. 7, issue 1,pp. 6-17, March, 2013

[3]P. Ning, F. Wang, and K. Ngo, 'Automatic Layout Design for Power Module,' IEEE Trans. on Power Electronic, Vol. 28, issue 1, pp. 481-487, Jan, 2013.

[4]P. Ning, F. Wang, and K. Ngo, 'High Temperature SiC Power Module Electrical Evaluation Procedure,' IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 26, issue 11, pp. 3079-3083, Nov, 2011.

[5]P. Ning, G. Lei, F. Wang, G. Lu, K. Ngo, and K. Rajashekara, 'A Novel High-Temperature Planar Package for SiC Multichip Phase-Leg Power Module', IEEE Trans. on Power Electronics, Vol.25, issue 8, pp. 2059 – 2067, Aug, 2010.

[6]P. Ning, R. Lai, D. Huff, F. Wang, K. Ngo, K. Karimi, and V. Immanuel, 'SiC Wirebond Multi-Chip Phase-Leg Module Packaging Design and Testing for Harsh Environment,' IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 25, issue 1, pp. 16-23, Jan, 2010.

主持科研项目

1>高温SiC集成功率模块研究，国家重点研发计划，2016-2020，646万

2>SiC电力电子器件及系统高温运行理论研究，中国科学院重点项目，2016-2020，190万

3>用于高功率密度变频器的模块优化，基金委青年项目，2016-2018，22万

4>碳化硅模块封装及新能源汽车应用，中国科学院重点项目，2016-2017，800万

5>第三代半导体高密度封装工艺技术与关键材料，科技部863计划，2015-2017，159万

6>电动车电机驱动系统电磁兼容设计技术与应用，科技部科技支撑（攻关）计划2013-2016，45.0万