项目简介
6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底产业化技术研究。研究内容主要包括：低缺陷密度6英寸SiC晶体生长技术研究；晶体加工技术研究；高成品率、稳定生产工艺技术研究。研究目标：达到年产1万片的规模，销售额1亿元以上。
统计数据显示，2012年至2016年全球SiC半导体行业的市场规模保持着稳定增长的良好增长态势，2012年全球SiC半导体行业的市场规模为44.36亿美元，2016年的市场规模增长至53.67亿美元，2016年仅SiC单晶衬底的市场规模已达到14.81亿美元。2012年至2016年我国SiC半导体行业的产值逐年增长，2012年的产值为8.98亿元，2016年的产值已增长至18.63亿元。预测在未来几年里，我国SiC半导体行业的产值将会保持着持续稳定地增长，增长率保持在30%以上。预计到2020年，我国SiC半导体行业的产值将会增长至70亿元。
应用领域
SiC半导体行业产品用途主要包括：高铁领域、新能源汽车领域、家电领域、风力发电领域、太阳能领域、工业电机领域、超高压直流输送电和智能电网领域、大数据领域、通信领域、航空航天领域。
国际上SiC单晶衬底商业化产品最大尺寸6英寸，微管密度小于5个/平方厘米，本项目产品达到国际先进水平。
本项目研究成果将在北京天科合达半导体有限公司实现转移、转化。北京天科合达半导体有限公司是国内SiC半导体行业首家在“新三板”挂牌的企业。北京天科合达公司是专业从事SiC晶体、晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业，已经在大兴区生物医药基地建成一条新的4-6英寸SiC晶片生产线。中科院物理研究所与北京天科合达公司具有长期良好的产学研合作关系，项目研究成果可直接在北京市落地进行产业化。
