6英寸碳化硅单晶产业化关键技术

中国科学院物理研究所   先进材料与结构分析实验室/A02

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项目简介

掌握了碳化硅晶体生长设备、晶体制备、晶体加工一整套关键技术,获授权发明专利40余项。团队由4名研究员、2名副研究员及10多名研究生组成,具有二十多年的碳化硅晶体研发经验。在国内率先实现了碳化硅晶体产业化,产业化公司北京天科合达半导体股份有限公司目前已成为国内碳化硅单晶衬底制备龙头企业,近三年累计实现销售收入1.13亿元,目前重点进行6英寸碳化硅单晶产业化关键技术研发。6英寸产品全球缺货,供不应求,市场前景广阔。

应用领域

碳化硅是第三代半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能以及稳定的物理化学性能等优点,可用于半导体照明、电力电子器件、5G通讯、宝石等多个领域。基于碳化硅衬底制造的LED的亮度比基于蓝宝石衬底的高1倍;利用碳化硅制造的电力电子器件能够有效提高系统效率、降低能耗、减小系统装备的体积和重量、提高系统可靠性。碳化硅上制造的氮化镓器件在5G通讯方面具有重要的应用。

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