用于CMOS器件的电流-电压特性测试，提取器件的栅介质漏电，饱和/截止态（Ion-Ioff）电流，亚阈值漏电与斜率等电学参数，同时可以测试其击穿电压
该设备用于测试功率器件的静态参数，如击穿电压、阈值电流、漏电流、导通电阻等
提供多通道实时带式记录仪多道生理记录仪,X-Y绘图仪,数字电压计和记录示波器的全部功能。可以对数据进行记录观察和实时分析，还可以进行存储便于以后进一步查阅或分析
去除半导体器件表层的钝化层，光刻胶，硅膜以及玻璃基板的表面清洗
四探针法测量表面电阻
电阻率 Seebeck系数
测试方块电阻
主要用于量测电子材料重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等
对电容器、电感器、谐振器、半导体等元器件以及印刷电路板、环形铁芯等材料进行测量 3.用42941A 探头可以进行电路内的器件或接地器件的测量
测试功率器件栅电荷Qg、栅电阻Rg参数
可用于功率器件击穿电压、阈值、导通电阻、栅极漏电、漏极漏电、跨导、脉冲电流、源漏二极管正向压降等参数的测量
