集成电路无损分离和标识系统

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厂商及型号

莎姆克 RIE-1C反应离子刻蚀设备

性能参数

O2,CF4流量计可达50cc/min,真空度1Pa以下,且30分钟内可保持15Pa以下,射频源最大可达200W

服务功能

去除半导体器件表层的钝化层,光刻胶,硅膜以及玻璃基板的表面清洗