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莎姆克 RIE-1C反应离子刻蚀设备
性能参数
O2，CF4流量计可达50cc/min，真空度1Pa以下，且30分钟内可保持15Pa以下，射频源最大可达200W
服务功能
去除半导体器件表层的钝化层，光刻胶，硅膜以及玻璃基板的表面清洗
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