该设备主要用于半导体领域研究和测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs,
该设备功能是提供纳米新器件的基本电学特性(如:I-V、C-V等)以及器件可靠性(如:BTI、TDDB、HCI等)的测试与分析,并支持手动和自动两种测试模式。其最
塑料拉伸性能的测试
可进行无底片的放射自显影和化学发光样品的成像
实现微结构和微区性能原位同时测量
TEM数据采集
凝胶成像分析
图像分析