近红外InGaAs/InP单光子雪崩探测器单元和阵列芯片

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项目简介

  本项目组采用自主研发的低噪声平衡集成技术,研制了近红外(1064nm~1550nm)单光子雪崩探测器,在TEC制冷条件下达到了高探测效率(≥30%)、低暗计数(≤10-5/门)水平;近红外单光子阵列器件采用具有自主知识产权的隔离技术,可有效降低像元串扰及提高成像分辨率,直径50μm像元中心距为100μm的背入射平面型SPAD阵列具有良好的击穿电压一致性,8*8阵列的均差在0.5V,0.9Vb偏压时暗电流小于1nA。技术达到国际先进水平,可为量子保密通信系统和长距离激光雷达提供平衡单光子探测,为新型3D成像激光雷达提供高速高质量单光子探测阵列。

应用领域

  近红外单光子探测在未来高端激光雷达领域具有明确的发展前景,在长距离、高速、高灵敏度探测和成像方面将发挥重要作用。

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