项目简介
原子层沉积设备技术为国家科技重大专项02专项项目“32nm以下设备关键技术研究及创新设备技术探索”成果之一，研制产品针对32nm以下技术代原子层薄膜沉积(ALD)系统及相应的高K栅介质工艺验证及新材料设备工艺进行探索。该机型突破“形核长大”薄膜材料生长原理，在国际上首创适变电场调制的原子层吸附生长方法，达到原子级别智能化，使得薄膜材料制备更精准、更致密、更均匀。
应用领域
该设备技术的研制成功，一方面可以积累相关的核心知识产权，为下一步产业化做好充分的准备；另一方面其研制的原理机结构设计简洁，具有体积小、成本低的特点，且性能优良，维护方便，可满足绝大多科研单位的需求，因此在研制阶段完成后，即可快速推进科研型设备的市场化。
