中国科学院物理研究所
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项目简介
研发用于高效、大功率电力电子器件的SiC同质外延材料生长技术。在4-6英寸SiC单晶衬底上生长出厚度超过20μm 的SiC厚膜，质量达到国际一流水平。实现20μm SiC厚膜产业化，满足我国SiC器件产业需求。
应用领域
SiC器件产业
法人: 李百泉
注册资金：266130000.00元
成立年限：9
北京市 北京市
法人: 郑清超
注册资金：276000000.00元
成立年限：7
河北省 保定市
法人: 陈彤
注册资金：183329200.00元
成立年限：8
北京市 北京市 海淀区
法人: 马忠烈
注册资金：130000000.00元
成立年限：3
浙江省 宁波市 奉化市
法人: 张军岭
注册资金：60000000.00元
河南省 平顶山市 宝丰县
法人: 田秀梅
注册资金：50000000.00元
成立年限：14
江苏省 苏州市 虎丘区
法人: 陈本昌
注册资金：52083334.00元
成立年限：2
北京市 北京市 顺义区
法人: 吕军超
注册资金：30000000.00元
四川省 雅安市 宝兴县
法人: 张松峰
注册资金：25000000.00元
成立年限：12
辽宁省 鞍山市 台安县
法人: 杨建
注册资金：16600000.00元
成立年限：13
新疆维吾尔自治区 石河子市
正高级工程师 , 中国科学院电工研究所
副研究员 , 中国科学院山西煤炭化学研究所
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