半导体介质薄膜淀积
显微负压微吸吮施力
等离子体增强化学气相沉积设备。可以进行4英寸(4inch*9)以下各种规格衬底介质沉积工艺。
氮化硅,氧化硅淀积
等离子体增强化学气相沉积设备。可以进行4英寸(4inch*9)以下各种规格衬底介质沉积工艺
清洗
角度测量
用于精确测试和款式制样
八室设备中心-宗明成组