近红外高速雪崩光电二极管芯片

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项目简介

  目前,国内25G高速雪崩探测器全部依赖进口。为实现技术自主,项目组在器件模拟优化和暗电流抑制等方面进行了专项攻关,取得了技术突破,研制成功InGaAs/InAlAs分离吸收过渡电荷倍增电荷渡越(SAGCMCT)结构雪崩光电二极管芯片。该芯片采用特殊优化器件参数和高精度外延生长技术,具有低暗电流、高增益带宽、高可靠性等技术优势。25GHz器件带宽下暗电流进行了最小化优化,可用于25Gbps/s速率的高灵敏度传输领域。

应用领域

  高速APD在光通讯模块中可以替代探测器和光放大器的组合,实现高灵敏度探测的同时降低模块光器件成本,为5G通信和数据中心中远程传输中提供更高性价比方案。

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