项目简介
基于氮化镓材料的高亮度LED(HB-LED)是未来普通照明光源最为重要的技术，它的应用领域包括照明、手机、显示、汽车、信号灯以及其他许多领域。到2012年，预计总的高亮度 LED 市场将轻松超过 20亿美元。
图形化蓝宝石衬底技术（Patterned Sapphire Substrate，简称PSS）可有效减少传统生产中氮化镓外延层的外延缺陷，使外延层晶体质量明显提高，有效提高氮化镓基LED的光功率。
中科院微电子所针对国内外LED生产领域的实际需求，研制出了拥有自主知识产权的电感耦合高密度等离子体刻蚀系统。该设备采用完全自主知识产权，打破了国外设备巨头对LED工艺关键设备的技术垄断，对推动国内蓬勃发展的LED产业具有重大意义。
技术创新点
设备前期研发工作已经基本完成，在完全自主知识产权的基础上，设备样机已经完成制造任务，开始进行工艺测试，并与国内一线芯片制造企业签订试用合同，准备进入试生产阶段。
与国际同类设备相比，该项目设备主要具有以下特点：
（一）刻蚀系统创造性的采用平面式感应线圈结构，有效提高刻蚀均匀性。
（二）刻蚀系统的关键部件全部采用进口的国际主流产品，可实现7天24小时不间断生产。
（三）刻蚀系统采用触摸屏控制，工艺过程全自动，动画实时显示工艺过程的状况和提示。
（四）单次刻蚀2寸蓝宝石23片，GaN 27片。
（五）蓝宝石衬底刻蚀速率达到70nm/min。
项目现状
该系统的实验室样机已完成，目前正准备投入生产化试运行，预计2011年底具备投产条件。
项目前景
该项目正式商业化生产之后，将打破国外设备厂商对高端LED设备的技术垄断，服务国内企业以较低成本获得国际尖端设备，有效降低设备购置成本，参与国际化竞争。
项目规划
项目组计划一期募集资金200万元，用于支撑新开发设备的后期技术改进和测试，团队建设以及为产业化生产提供基础设施保障。同时，希望能引进市场机构，特别是有实力的LED芯片生产企业，以吸收投资为契机，引进先进的管理体系，推动该项目的市场化运营。
