抗辐照电路与器件

中国科学院微电子研究所   硅器件与集成研发中心

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项目简介

该项目拥有技术人员95人,自技术成果转化以来,突破了高可靠功率元器件(VDMOS)和大容量存储器电路(SOI SRAM)的抗辐照加固关键技术,并搭建了高可靠元器件设计、工艺、封装和测试平台。目前,已成功研制出60余款高可靠功率VDMOS产品和5款高可靠SRAM产品,主要参数指标和可靠性能均处于国内领先,达到国际先进水平,产品广泛应用于航空航天等高精尖领域,并有18款产品完成了航天五院CAST目录认证工作,解决了多个国家重点航天型号任务的急需。

应用领域

1.满足国家航天和防务等重点型号工程对抗辐照核心技术和产品的国家战略需求; 2.建立具有自主知识产权的宇航用抗辐照工艺、设计、测试、封装和可靠性等技术和产品开发能力; 3.建立国际先进抗辐照技术和器件支撑平台。

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