- 郑婉华
- 研究员
郑婉华
郑婉华，女，博士，研究员，博士生导师。
1988年于山东大学光学系激光专业获学士学位，1991年于中国科学院物理研究所光物理实验室获硕士学位，同年入中国科学院半导体研究所工作，1998年于香港浸会大学理学院获理学博士学位。现任中国科学院固态光电信息技术创新重点实验室主任、中国科学院半导体所学术委员会和学位委员会成员。曾先后在澳大利亚新南威尔士大学光电子实验室、日本横滨大学微纳光电子学实验室、美国麻省理工学院光子晶体实验室、香港浸会大学材料中心等进行纳米材料、光子晶体材料与器件的研究。2010年获国家自然科学基金杰出青年基金；2012年、2017年连续两次成为科技部重点专项首席科学家；2013年获北京市科学技术二等奖，排名第一；同年开始享受国务院政府特殊津贴；2014年获中国光学重要成果奖；同年入选国家百千万人才工程、被授予“有突出贡献中青年专家”荣誉称号；2015年被聘为国家外国专家局重点引智项目评审专家；2017年获中国光学工程学会科技创新奖一等奖，排名第一；同年获国家技术发明奖二等奖，排名第一。
长期从事半导体人工微结构材料与器件的研究，近年来，在硅基光子晶体和激光产生研究方面，采用硅基纳米结构材料，实现高Q值的光子晶体微腔，首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料，实现可见光的锁模脉冲激射，上述工作被作为前沿技术进展分别在LaserFocusWorld（2003.2）、Photonics等杂志报道；在III-V族半导体人工微结构材料与器件的研究方面，在国内首次实现InP、GaAs基光子晶体面发射、边发射激光器的突破；在光子集成新技术方面，研制出国内首台具有自主知识产权的晶片键合、清洗系统；利用联合调控光子态和电子态获得高性能激光输出取得了系统的创新性成果，低发散角光子晶体激光技术成功进行技术转移。发表SCI论文100多篇，授权专利50多项，在重要学术会议上做邀请报告20余次。培养出博士生20余名，学生中2人次获中国科学院院长特别奖、2人次中国科学院优秀毕业论文奖、2人次国家奖学金。2012年、2013年、2014年连续三年获中国科学院“优秀研究生指导教师”奖。
主要研究方向：
（1）人工微纳结构材料与高性能光子晶体激光器；
（2）硅基光子集成与光量子模拟芯片
招收硕士、博士研究生、博士后。
联系方式：
电话：010-82304604；传真：010-82304604
E-mail：whzheng@red.semi.ac.cn
负责/主持项目：
1、国家重点研发计划项目“微纳结构硅基混合集成宽带高速光访存芯片”（2017-2022）（负责）
2、国家自然科学基金重点项目“高光束质量光子晶体激光及大功率合束研究”（2016-2020）（负责）；
3、中国科学院先导专项“硅基混合高速率光访存核心单元研究”（2016-2021）（负责）；
4、国家重点研发计划项目“高光束质量光子晶体激光泵源”（2016-2019）（主持）
5、国家重点研发计划项目“面向激光显示的半导体激光器（LD）时域/频域/空域调控研究”（2016-2020）（主持）
6、国家自然科学基金重点项目“高性能微结构半导体激光器研究”（2012-2016）（负责）；
7、973纳米专项“面向HPC超结点的关键微纳光电子器件及其集成技术研究” （2012-2016）（负责）；
8、973项目“光子晶体的光量子调控激光产生机理研究”（2007-2011）（负责）；
9、国家自然科学基金杰出青年基金项目“基于人工微纳结构的高光束质量半导体激光器研究”（2011-2014）（负责）；
10、国家自然科学基金项目“光子晶体慢光效应及测量方法研究”（2007-2010）（负责）；
11、863项目“基于光子晶体慢光效应适于光子集成的超小型放大器的研究”（2007-2010）（主持）；
12、863项目“面向平面内全光集成的微纳结构光子晶体边发射激光器研究”（2006-2008）（负责）；
代表性文章：
1、Wanhua Zheng*, Gang Ren，Mingxin Xing, Wei Chen, Anjin Liu, Wenjun Zhou, Toshihiko Baba, Kango Nozaki, and Lianghui Chen, “High efficiency operation of butt joint line-defect-waveguide microlaser in two-dimensional photonic crystal slab,”Appl. Phys. Lett.93, 081109, 2008
2、Anjin Liu, Mingxin Xing, Hongwei Qu, Wei Chen, Wenjun Zhou and Wanhua Zheng*, “Reduced divergence angle of photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser,”Appl. Phys. Lett. 94, 191105, 2009
3、Anjin Liu, Wei Chen, Mingxin Xing, Wenjun Zhou, Hongwei Qu, and Wanhua Zheng*, “Phase-locked ring-defect photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser,” Appl. Phys. Lett. 96, 151103, 2010
4、Bin Jiang, Wenjun Zhou, Wei Chen, Anjin Liu, and Wanhua Zheng*, “Improved fake mode free plane wave expansion method,” Opt. Lett. 36, 2788, 2011
5、Wanhua Zheng*, Wenjun Zhou, Yufei Wang, Anjin Liu, Wei Chen, Hailing Wang, Feiya Fu, and Aiyi Qi, “Lateral cavity photonic crystal surface-emitting laser with ultralow threshold,” Opt. Lett. 36, 4140, 2011
6、Bin Jiang, Yejin Zhang, Yufei Wang, Anjin Liu and Wanhua Zheng*, “Magnetically controlled photonic crystal binary digits generator”, Appl. Phys. Lett.101, 043505, 2012
7、Lei Liu, Jianxin Zhang, Shaodong Ma, Aiyi Qi, Hongwei Qu, Yejin Zhang, and Wanhua Zheng*, “High-brightness diode laser arrays integrated with a phase-shifter designed for single-lobe far-field pattern,” Opt. Lett. 38, 2770, 2013
8、Lei Liu, Hongwei Qu, Yun Liu, Yejin Zhang, Yufei Wang, Aiyi Qi, and Wanhua Zheng*, “High-power narrow-vertical-divergence photonic band crystal laser diodes with optimized epitaxial structure,” Appl. Phys. Lett. 105, 231110, 2014
9、Lei Liu, Hongwei Qu, Yufei Wang, Yun Liu, Yejin Zhang, and Wanhua Zheng*, “High-brightness single-mode double-tapered laser diodes with laterally coupled high-order surface grating,” Opt. Lett. 39, 3231, 2014
10、Lei Liu, Yun Liu, Hongwei Qu, Yufei Wang, Hailin Wang, ZhiGang Feng, Yejin Zhang and Wanhua Zheng*, “Angled cavity photonic crystal laser diodes with tilted sidewalls for improving the far-field patterns,” Opt. Lett. 39, 2391, 2014
11、Fan Qi, Yufei Wang, Qingyan Ma and Wanhua Zheng*, “Experimentally simulating quantum walks with self-collimated light,” Sci. Rep. 6, 28610, 2016
12、Xiaojie Guo, Yufei Wang, Yufei Jia, Wanhua Zheng*, “Electrically-driven spectrally-broadened random lasing based on disordered photonic crystal structures,” Appl. Phys. Lett. 111, 031113, 2017
