王占国

中国科学院半导体研究所

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王占国 王占国:信息功能材料相关基础问题首席科学家1962年毕业于南开大学物理系,同年到中国科学院半导体所工作。1980-1983年瑞典隆德大学访问学者;1986年任半导体所研究员,材料室主任;1990年被批准为博士生导师;1990-1994任半导体所副所长;1991-2001年,先后曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长,国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长;从1990年起先后任国际半导体和半绝缘材料、第7届国际化学束外延、国际缺陷识别与成象物理会议等6个顾问委员会委员,中国科学院半导体材料科学实验室主任,南京大学、西安交大、南开大学等6所高校兼职教授和北大、清华等多个国家、部门开放实验室学术委员会委员。第八届北京市人民政府专家顾问团顾问,中国材料学会常务理事,中国电子学会高级会员。半导体学报、人工晶体学报、材料导报等编委。1995年当选为中国科学院院士,现任技术学部常委。 长期从事半导体材料和半导体材料物理研究。其中,人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果,为我国的航天事业发展和国防工程建设作出了贡献。在深能级物理和光谱物理研究方面取得了多项国际先进水平的成果。近年来,他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点(线)与 量子点(线)超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得突破,并在该前沿领域占有一席之地。最近,他又提出了柔性衬底的概念,开拓了大失配材料体系研制的新方向。上述研究成果曾获中国科学院自然科学一等奖,中国科学院科技进步一, 二和三等奖,国家科技进步三等奖和国家重点科技攻关奖多项, 在国外重要学术刊物发表论文100多篇,被他人引用数百次.