- 任治安
- 研究员
任治安 简介
简介
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男，1999年中国科学技术大学物理系本科毕业，2004年中国科学院物理研究所获博士学位。2005-2007年在日本Aoyama-Gakuin University 做博士后研究。现任中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。荣获2008年物理所“科技新人奖”、2009年中国科学院“卢嘉锡青年人才奖”、2009年求是基金会“求是杰出科技成就集体奖”、2012年中国物理学会“最有影响论文奖”特等奖，中国科学院青年创新促进会优秀会员等。
主要研究方向
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1. 新型高温超导材料以至室温超导体的探索研究；
2. 物质的组成、晶格结构、电磁热输运性质、电子能带结构等与超导产生的相关规律研究；
3. 高质量新型超导单晶的生长及相关物理问题研究；
4. 下一代高场超导磁体关键超导材料的制备与应用开发研究。
过去的主要工作及获得的成果
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长期从事新型高温超导材料探索研究，已发现二十多种新超导体。包括发现硼掺杂碳化硅新超导体（B-doped SiC），发现氟掺杂的镨系、钕系铁基高温超导体（PrFeAsO1-xFx、NdFeAsO1-xFx）并首次将铁基的Tc提高到50K以上，发现氧缺位诱发的十种新铁基超导体RFeAsO1-x（稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y），创造了铁基高温超导中55K的最高Tc世界记录等等。发表科研论文100多篇，SCI统计引用次数5000 多次(有6 篇第一/通讯作者论文引用过百次，最高单篇被引用1200多次)。国际期刊《New Journal of Physics》关于铁基超导特刊的客座编辑，《科学通报》优秀编委。
